闪存和硬盘有什么不同 ?

不同点1

硬盘的使用寿命高于闪存。这个是根据它们的工作原理来决定的，闪存是有限定的数据写入次数的，一旦闪存达到限定的数据写入次数，闪存基本上就不能够正常工作了。但是硬盘不同，硬盘没有相关的限定使用次数，因此，硬盘只要不发生错误和故障就能够正常进行工作，且存储的数据也不会丢失。

(相关资料图)

不同点2：

闪存由于它独特的工作原理，在进行数据传输时，它的传输速度远高于硬盘，有时能够达到几十倍的差距。读写是计算机数据交换的一个电子过程，硬盘的传输和读取速度很大程度上都取决于硬盘内部机械马达的转动速度，但是，近几年来，无论是桌面级的机械马达类的硬盘还是服务器级的机械马达类的硬盘，它们在技术上都没有特别快或者说特别大的发展，等级基本还是停留在 7200rpm。虽然最近有的公司已经研究并推出了10Krpm的硬盘，但这个硬盘的技术依然还在使用SCSI硬盘。对于服务器级的硬盘来说，速度在近几年来一直保持在10Krpm-15Krpm之间，没有发生特别大的变化，但是为了提高硬盘的性能，硬盘的研制厂商都将发展的注意力和精力集中到了硬盘的缓存容量和单碟容量大小上了。对此，部分研究者指出，若闪存的寿命和容量能够大幅度提高且降低它的销售价格，闪存式硬盘完全有可能淘汰现在我们正在广泛使用的硬盘，目前闪存的容量大概仅有2-20G，远远没有硬盘的容量大，但是它的传输速度极快

不同点3：

看到这里我想很多人都会问这样的问题：为什么这里说U盘或其他闪存类的存储器传输速度会远远高于硬盘，但是在使用的时候却明显感觉它们的速度还不及U盘?其实这个问题是由多个原因造成的，有时候，计算机的USB接口会限制闪存存储器的发挥，除此之外，很多闪存存储器还是低速的闪存，一般情况下，我们都会给U盘加一些限制速度。但如果把这个限制数量提高结果自然就会不同了。

内存与FLASH的区别?

内存与FLASH可以说没有区别。因为FLASH 也是内存(Memory)的一种。内存有RAM(Random Access Memory)、ROM(Read Only Memory)、Flash Memory。

1、数据

RAM：电源关闭数据不保留。存储单元的内容可按需随意取出或存入，且存取的速度与存储单元的位置无关的存储器。这种存储器在断电时将丢失其存储内容，故主要用于存储短时间使用的程序。

Flash：电源关闭数据保留。结合了ROM和RAM的长处，不仅具备电子可擦除可编程(EEPROM)的性能，还不会断电丢失数据同时可以快速读取数据(NVRAM的优势)。

2、性能

RAM的读取数据速度远远快于Flash。

FLASH闪存是属于内存器件的一种，"Flash"。闪存则是一种非易失性( Non-Volatile )内存，在没有电流供应的条件下也能够长久地保持数据，其存储特性相当于硬盘，这项特性正是闪存得以成为各类便携型数字设备的存储介质的基础。

各类 DDR 、 SDRAM 或者 RDRAM 都属于挥发性内存，只要停止电流供应内存中的数据便无法保持，因此每次电脑开机都需要把数据重新载入内存。

内存是计算机中重要的部件之一，它是与CPU进行沟通的桥梁。计算机中所有程序的运行都是在内存中进行的，因此内存的性能对计算机的影响非常大。内存(Memory)也被称为内存储器和主存储器，其作用是用于暂时存放CPU中的运算数据，以及与硬盘等外部存储器交换的数据。

只要计算机在运行中，CPU就会把需要运算的数据调到内存中进行运算，当运算完成后CPU再将结果传送出来，内存的运行也决定了计算机的稳定运行。 内存是由内存芯片、电路板、金手指等部分组成的。

扩展资料：

FLASH的特点有以下四点：

1、可靠性

采用flash介质时一个需要重点考虑的问题是可靠性。对于需要扩展MTBF的系统来说,Flash是非常合适的存储方案。可以从寿命(耐用性)、位交换和坏块处理三个方面来比较NOR和NAND的可靠性。

2、耐用性

在NAND闪存中每个块的最大擦写次数是一百万次,而NOR的擦写次数是十万次。NAND存储器除了具有10比1的块擦除周期优势,典型的NAND块尺寸要比NOR器件小8倍,每个NAND存储器块在给定的时间内的删除次数要少一些。

3、易于使用

可以非常直接地使用基于NOR的闪存,可以像其他存储器那样连接,并可以在上面直接运行代码。

由于需要I/O接口,NAND要复杂得多。各种NAND器件的存取方法因厂家而异。

在使用NAND器件时,必须先写入驱动程序,才能继续执行其他操作。向NAND器件写入信息需要相当的技巧,因为设计师绝不能向坏块写入,这就意味着在NAND器件上自始至终都必须进行虚拟映射。

4、其他作用

驱动还用于对DiskOnChip产品进行仿真和NAND闪存的管理,包括纠错、坏块处理和损耗平衡。